1.在新型平板顯示中，當下新興的高清顯示、虛擬現實(shí)以及裸眼3D 顯示技術(shù)都要求使用高速電路， 未來(lái)器件的工作頻率將越來(lái)越高。
2. 預期幾年之內，TFT 的動(dòng)態(tài)退化將成為制約器件可靠性提高的瓶頸。
3. 本項目根據低溫多晶硅TFT 的動(dòng)態(tài)退化模型，提出并設計一種含退化抑制結構的新型高可靠性 多晶硅TFT: 在傳統的三端TFT 器件溝道側面制備與溝道互補摻雜的第四端——sub 端。
4. 優(yōu)勢：
在新型TFT 器件中，引入退化抑制結構之后，器件的正常工作狀態(tài)不會(huì )受影響，但TFT 的動(dòng)態(tài)退 化效應會(huì )被大幅抑制，從而延長(cháng)顯示壽命；
該工藝與CMOS TFT工藝技術(shù)相兼容，且不需要包含LDD 結構，但其退化抑制效果優(yōu)于LDD器件；③即使當Vsub 處于反偏狀態(tài)(例如-2V 電壓),雖然其退化抑制的效果弱于sub 零偏或正偏時(shí)， 但動(dòng)態(tài)退化抑制結構依然有效。
5.該技術(shù)方案已申請發(fā)明專(zhuān)利，目前已通過(guò)復審，即將獲得授權。同時(shí)申請的PCT 國際專(zhuān)利也在 實(shí)質(zhì)審查階段。
